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CG2H40035F
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 35W GaN HEMT 24V 4GHz Flange
CGH40006P
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 Watt 关于MACOM gan hemts 的信息
CGH40025F
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 25 Watt 关于MACOM gan hemts 的信息
CGHV1F006S
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-18GHz, 6 Watt 关于MACOM gan hemts 的信息
GTVA262711FA-V2-R2
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 300W GaN HEMT 48V 2496 to 2690MHz
PTRA097058NB-V1-R2
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 850W, Si LDMOS 48V, 730-960 MHz, TO288
PXAC201202FC-V2-R250
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
PTVA092407NF-V1-R5
CGH40120P
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-2.5GHz, 120 Watt
PTFC260202FC-V1-R250
PTFC260202FC-V1-R0
GTRA214602FC-V1-R2
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 490W, GaN HEMT, 48V, 2110-2200MHz, 248pp
PTRA093818NF-V1-R5
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier
PTAB182002FC-V1-R250
PTRA083818NF-V1-R5
CG2H40025P
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 25W, 4.0GHz, GaN HEMT G28V4 (CG2H40025P)
CGHV14250F
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 1.2-1.4GHz, 250 Watt 关于MACOM gan hemts 的信息
GTVA263202FC-V1-R0
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 RF LDMOS FET
PXAE183708NB-V1-R2
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 320W, Si LDMOS, 28V, 1805-1880MHz,
PTRA082808NF-V1-R5
MACOM的长期订单优势货源：随时现货+极具竞争力的价格 是以终端使用（制造工厂、大专院校、研究院所）为主要客户的MACOM供应商
深圳市芯幂科技有限公司
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