MACOM相关型号_深圳市芯幂科技有限公司

射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 Gate Biasing Assembly, GaN, 5-Pins, Center Pin Gate Control

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Amplifier, 925-960MHz, PTRA095908NB-V1 LDMOS FET included

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 500W, Si LDMOS, 50V, 390-450MHz, Flange

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 150W, Si LDMOS, 28V, 2110-2170MHz, 248 SE

射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Bare Die 28V DC-8.0GHz 120W

射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-8.0GHz, 60 Watt

射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-4.0GHz, 320 Watt 关于MACOM gan hemts 的信息

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 150W, Si LDMOS, 28V, 1805-1880MHz, 248 SE

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 150W, Si LDMOS, 28V, 1805-1880MHz, 248 SE

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 150W, Si LDMOS, 28V, 2110-2170MHz, 248 SE

射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 1400W, GaN HEMT, 50V, 0.96-1.4GHz, IM FET, 4-Lead Flange

射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 50V 1.2-1.4GHz 600W 关于MACOM gtva rf gan sic hemts 的信息

射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 300W GaN HEMT 48V 2496 to 2690MHz 关于MACOM 5g rf transistors 的信息

射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-18GHz, 25 Watt 关于MACOM gan hemts 的信息

射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 10W, 4.0GHz, 830120P, GaN HEMT, PILL

射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 30 Watt 关于MACOM gan hemts 的信息

射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 10W, 6.0GHz, GaN HEMT G28V4 (CG2H40010P)

射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 60 Watt 关于MACOM gan hemts 的信息

射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 240W, 3.1GHz, 830163F, GaN HEMT, 28V, FL

射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 7.9-9.6GHz, 100 Watt 关于MACOM gan hemts 的信息

MACOM的长期订单优势货源：随时现货+极具竞争力的价格是以终端使用（制造工厂、大专院校、研究院所）为主要客户的MACOM供应商

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