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LTN/GTVA262711FA-V2

射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 Amplifier, 2620-2690MHz, GTVA262711FA-V2 GaN HEMT is included

CG2H40120P

射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 120W, G28V4, 4.0GHz, GaN HEMT, PILL

CGB9P-CEN

射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 Gate Biasing Assembly, GaN, 9-Pins, Center Pin Gate Control

MSS30-046-P86

肖特基二极管与整流器 COM-Schottky-Chip, package P86

MSS40-045-P86

肖特基二极管与整流器 Schottky Diode,Chip,Package P86

CGHV59070F-AMP

射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 Amplifier, 4.8-5.9GHz, CGHV59070F GaN HEMT is included

PXAD214218FV-V1-R0

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET

PTVA101K02EV-V1-R0

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET

PTFC210202FC-V1-R250

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET

PTAC240502FC-V1-R0

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET

PXFC191507FC-V1-R250

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET

PTVA030121EA-V1-R250

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET

PTVA127002EV-V1-R250

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET

PTAC240502FC-V1-R250

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET

PTVA123501FC-V1-R250

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET

GTRB186002FC-V1-R2

射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 500W, 48V, 1805-1880 MHz GaN-SiC HEMT

MA46481-134

变容二极管 Diode,Varactor,GaAs chip 1.25

CGB9P-SIDE

射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 Gate Biasing Assembly, GaN, 9-Pins, Side Pins Gate Control

GTRB206002FC/1-V1-R2

射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 500W, 48V, 1930-2020 MHz GaN-SiC HEMT (250 pcs Reel)

PTRA087008NB-V1-R2

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 700W, Si LDMOS, 48V, 790-820MHz, TO275

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