MACOM相关型号_深圳市芯幂科技有限公司

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 140W, Si LDMOS, 28V, 2300-2400MHz, 248 PP

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 30W, Si LDMOS IC , 50V, 575-960MHz, TO270

肖特基二极管与整流器 Schottky Diode Beamlead

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 60W, Si LDMOS IC , 28V, 1800-2100MHz, TO270

肖特基二极管与整流器 Com Schottky-Beamlead-Pkg, E20

射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 Amplifier, 960-1215MHz, GTVA107001FC GaN HEMT is included

肖特基二极管与整流器 Die, Schottky diode, Beamlead

射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 500W, 48V, 1930-2020 MHz GaN-SiC HEMT (50 pcs Reel)

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,Mosfet,RF,80W,28V,2-175_MHz

射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 180W, GaN HEMT, 48V, 2496-2690MHz, 248 PP

肖特基二极管与整流器 Schottky Diode,Beamlead,Package E45-1

射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 400W, 48V, 1930-2020 MHz GaN-SiC HEMT

肖特基二极管与整流器 Com Schottky-BL, 46, B47

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 140W, Si LDMOS, 28V, 2300-2400MHz, 248 PP

肖特基二极管与整流器 Schottky Diode,Beamlead, E25-1

射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 400W, GaN HEMT, 48V, 2496-2690MHz, 248 PP

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Si LDMOS

肖特基二极管与整流器 Schottky Diode,Beamlead, H27

肖特基二极管与整流器 Com Schottky-BL - E40

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Amplifier, 730-960MHz, PTRA097058NB-V1 LDMOS FET included

MACOM的长期订单优势货源：随时现货+极具竞争力的价格是以终端使用（制造工厂、大专院校、研究院所）为主要客户的MACOM供应商

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