CGHV14250P

射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 250W, GaN HEMT, 50V, 0.5-1.8GHz, IM FET, Pill

CG2H40010F

射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-8.0GHz, 10 Watt 关于MACOM cgh2400 cgh300 hemt 的信息

GTVA220701FA-V1-R2

射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 RF LDMOS FET

CGHV40180P

射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 200W, 0.05-1.0GHz, 830292P, GaN HEMT, 50

CGHV35120F

射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 Amplifier,GaN,120W,3.1-3.5GHz,G50V3,50V

PXAE263708NB-V1-R0

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 370W Si LDMOS 28V 2496 to 2690MHz 关于MACOM 5g rf transistors 的信息

GTVA107001EC-V1-R250

射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 50V 0.9-1.2GHz 700W 关于MACOM gtva rf gan sic hemts 的信息

PTRA095908NB-V1-R2

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 520W, Si LDMOS, 48V, 925-960MHz, TO275

PXAC201602FC-V1-R250

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET

CGH55030F1

射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 5.5-5.8GHz, 30 Watt

PTFB201402FC-V2-R250

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET

CGHV14800F

射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 1.2-1.4GHz, 800 Watt 关于MACOM cghv14800f gan hemt 的信息

PXAC200902FC-V1-R2

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET

GTRA214602FC-V1-R0

射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 490W, GaN HEMT, 48V, 2110-2200MHz, 248pp

CGHV14500F

射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 1.2-1.4GHz, 500 Watt 关于MACOM gan hemts 的信息