PXFC191507FC-V1-R0

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET

CGHV27060MP

射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-2.7GHz, 60 Watt 关于MACOM gan hemts 的信息

PXAE263708NB-V1-R2

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 370W Si LDMOS 28V 2496 to 2690MHz 关于MACOM 5g rf transistors 的信息

GTVA262701FA-V2-R0

射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 270W GaN HEMT 48V 2496 to 2690MHz 关于MACOM 5g rf transistors 的信息

CG2H80030D-GP4

射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-8.0GHz, 30 Watt

CG2H80015D-GP4

射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-8.0GHz, 15 Watt

CGH09120F

射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT UHF-2.5GHz, 120 Watt 关于MACOM cgh09120f transistor 的信息

CGH27030P

射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT VHF-3.0GHz, 30 Watt

PTVA120251EA-V2-R0

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET

PTVA030121EA-V1-R0

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET

MGS912

肖特基二极管与整流器 GaAs Schottky Diode, 4 Junction Beam

CGH27030S

射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt

CGHV27030S

射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt 关于MACOM cghv27030s gan hemt 的信息

MA4E1338B1-1146T

肖特基二极管与整流器 Schottky Plastic Lead-Free

CGHV60040D-GP4

射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 40 Watt 关于MACOM cghv600 gan hemts 的信息