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LTN/GTVA126001EC-V1
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 Amplifier, 1200-1400MHz, GTVA126001EC GaN HEMT is included
GTRB224402FC-V1-R2
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 400W, 48V, 2110-2200 MHz GaN-SiC HEMT
GTVA261802FC-V1-R0
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 180W, GaN HEMT, 48V, 2496-2690MHz, 248 PP
CGH35060P2
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 60W, GaN HEMT, 28V, DC-4.0GHz, Flange
GTRA184602FC-V1-R0
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 490W, GaN HEMT, 48V, 2110-2200MHz, 248pp
GTVA220701FA-V1-R0
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 RF LDMOS FET
GTRB097152FC-V1-R2
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 900W,48V,758-960MHz,GaN HEMT (250pcs)
GTRB267008FC-V1-R2
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
GTRB246608FC-V1-R2
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 500W, 2300-2400MHz, 48V GaN HEMT (250pcs)
CGHV96050F2
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 7.9-9.6GHz, 50 Watt 关于MACOM gan hemts 的信息
CG2H40035P
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 35W, GaN HEMT, 28V, DC-4.0GHz, Pill, Gen2
GTRB226002FC-V1-R2
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 450W, 48V, 2110-2200 MHz GaN-SiC HEMT
LTN/GTVA262701FA-V2
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 Amplifier, 2620-2690MHz, GTVA262701FA-V2 GaN HEMT is included
GTRB264318FC-V1-R0
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 400W, GaN HEMT, 48V, 2496-2690MHz, 248 PP
GTRA360502M-V1-R3K
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 50W, GaN HEMT, 48V, 3400-3800MHz, 248 PP
GTRB224402FC-V1-R0
GTRB186002FC-V1-R0
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 500W, 48V, 1805-1880 MHz GaN-SiC HEMT
GTRA260502M-V1-R3K
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 50W, GaN HEMT, 48V, 2515-2675MHz, 248 PP
GTVA101K42EV-V1-R0
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GTVA101K42EV-V1-R0
GTVA107001FC-V1-R0
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 700W, GaN HEMT, 50V, 0.9-1.2GHz, IM FET, Pill
MACOM的长期订单优势货源:随时现货+极具竞争力的价格 是以终端使用(制造工厂、大专院校、研究院所)为主要客户的MACOM供应商
深圳市芯幂科技有限公司
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