MACOM相关型号_深圳市芯幂科技有限公司

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Amplifier, 2110-2200 MHz, PTNC210604MD-V2 LDMOS 2-Stage RFIC included

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 240W, Si LDMOS, 48V, 790-820MHz, TO288

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 10W Avg. 2110-2200 MHz LDMOS Doherty EVB

Trans RF MOSFET N-CH 65V 8A 5-Pin Case 412-01

Trans RF MOSFET N-CH 120V 2A 12-Pin DFN EP

Trans RF MOSFET 120V 12A 3-PinCase 440217

衰减器 Attenuator, DC-55 GHz, 5 bits, 3 mm, T&R

射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 150W, GaN HEMT, 50V, 2.9-3.5GHz, IM FET, Pill

衰减器 Attenuator, 1-bit, 2 dB, DC-30 GHz

射频混合器 Mixer, Hi IP3 IRM, 32-37GHz,T&R500

衰减器 Attenuator, VVA, 5-3000 MHz, 75 ohms

射频混合器 Mixer, IRM, 32-37 GHz, T&R500

射频放大器 600W, GaN HEMT, 50V, 1.2-1.4GHz, IM FET, Pill

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 370W Si LDMOS 28V 2100 to 2170MHz 关于MACOM 5g rf transistors 的信息

射频放大器 Amplifier, 3700-4100MHz, GTRA412852FC-V1 GaN HEMT is included

衰减器 DC-2.0GHz 6-bit Atten=50dB 1dB steps

RF 开关 IC Switch,GaAs,MMIC

Trans RF MOSFET N-CH 120V 3A 3-PinCase 440166

Diode VAR Cap Single 22V 2.7pF 2-Pin ODS-1088

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET

MACOM的长期订单优势货源：随时现货+极具竞争力的价格是以终端使用（制造工厂、大专院校、研究院所）为主要客户的MACOM供应商

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