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CGHV40200PP

射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-2.5GHz, 180 Watt 关于MACOM cghv40200pp gan hemt 的信息

CGHV59350F

射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 5.2-5.9GHz, 350 Watt 关于MACOM gan hemts 的信息

CGHV60170D-GP4

射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 170 Watt 关于MACOM gan hemts 的信息

CGHV1J070D-GP4

射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-18GHz, 70 Watt 关于MACOM gan hemts 的信息

GTRA362002FC-V1-R0

射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 200W GaN HEMT 48V 3400 to 3600MHz 关于MACOM 5g rf transistors 的信息

GTRA364002FC-V1-R0

射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 400W GaN HEMT 48V 3400 to 3600MHz 关于MACOM 5g rf transistors 的信息

GTRA362802FC-V1-R0

射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 280W GaN HEMT 48V 3400 to 3600MHz 关于MACOM 5g rf transistors 的信息

GTRA384802FC-V1-R0

射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 480W GaN HEMT 48V 3800MHz 关于MACOM 5g rf transistors 的信息

CGH60120D-GP4

射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 120 Watt 关于MACOM gan hemts 的信息

CGH35240F

射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 3.1-3.5GHz, 240 Watt

GTRB266502FC-V1-R2

射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 630W,48V,2620-2690MHz,GaN HEMT (250pcs)

PXAE261908NF-V1-R5

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 240W, SiLDMOS, 28V, 2615-2515-2675 MHz

GTRB266502FC-V1-R0

射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 630W,48V,2620-2690MHz,GaN HEMT (50pcs)

GTRB266908FC-V1-R0

射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 630W, GaN HEMT, 48V, 2515-2675 MHz

GTRB267008FC-V1-R0

射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管

CGHV59350P

射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 350W, GaN HEMT, 50V, 5.2-5.9GHz, PULSED,

GTRA384802FC-V1-R2

射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 480W GaN HEMT 48V 3800MHz

MSS20-047-T86

肖特基二极管与整流器 Schottky Diode,Chip,Package T86

CGHV50200F

射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 4.4-5.0GHz, 200 Watt 关于MACOM cghv50200f gan hemt 的信息

CGHV59070P

射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 70W, GaN HEMT, DISCRETE TRANSISTOR, INTE

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