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CGHV40200PP
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-2.5GHz, 180 Watt 关于MACOM cghv40200pp gan hemt 的信息
CGHV59350F
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 5.2-5.9GHz, 350 Watt 关于MACOM gan hemts 的信息
CGHV60170D-GP4
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 170 Watt 关于MACOM gan hemts 的信息
CGHV1J070D-GP4
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-18GHz, 70 Watt 关于MACOM gan hemts 的信息
GTRA362002FC-V1-R0
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 200W GaN HEMT 48V 3400 to 3600MHz 关于MACOM 5g rf transistors 的信息
GTRA364002FC-V1-R0
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 400W GaN HEMT 48V 3400 to 3600MHz 关于MACOM 5g rf transistors 的信息
GTRA362802FC-V1-R0
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 280W GaN HEMT 48V 3400 to 3600MHz 关于MACOM 5g rf transistors 的信息
GTRA384802FC-V1-R0
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 480W GaN HEMT 48V 3800MHz 关于MACOM 5g rf transistors 的信息
CGH60120D-GP4
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 120 Watt 关于MACOM gan hemts 的信息
CGH35240F
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 3.1-3.5GHz, 240 Watt
GTRB266502FC-V1-R2
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 630W,48V,2620-2690MHz,GaN HEMT (250pcs)
PXAE261908NF-V1-R5
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 240W, SiLDMOS, 28V, 2615-2515-2675 MHz
GTRB266502FC-V1-R0
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 630W,48V,2620-2690MHz,GaN HEMT (50pcs)
GTRB266908FC-V1-R0
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 630W, GaN HEMT, 48V, 2515-2675 MHz
GTRB267008FC-V1-R0
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
CGHV59350P
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 350W, GaN HEMT, 50V, 5.2-5.9GHz, PULSED,
GTRA384802FC-V1-R2
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 480W GaN HEMT 48V 3800MHz
MSS20-047-T86
肖特基二极管与整流器 Schottky Diode,Chip,Package T86
CGHV50200F
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 4.4-5.0GHz, 200 Watt 关于MACOM cghv50200f gan hemt 的信息
CGHV59070P
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 70W, GaN HEMT, DISCRETE TRANSISTOR, INTE
MACOM的长期订单优势货源:随时现货+极具竞争力的价格 是以终端使用(制造工厂、大专院校、研究院所)为主要客户的MACOM供应商
深圳市芯幂科技有限公司
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