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GTVA101K42EV-V1-R0相关型号

  • MAALSS0042TR-3000

    射频放大器 1550-1600MHz Gain 27dB

  • NPA1003QA

    射频放大器 Transistor,GaN,DC-1500MHz,5W

  • MAAP-008924-000000

    射频放大器 10.0-13.3GHz NF 7dB Gain 21dB -40C +85C

  • A12

    射频放大器 10-1000MHz NF 2.8dB Gain 16dB

  • A57

    射频放大器 10-500MHz NF 4.8dB Gain 14.7dB

  • A25-1

    射频放大器 2-1500MHz NF 3.4dB Gain 13.5dB

  • MAAM-011258-TR1000

    射频放大器 Amplifier, 5-1218 MHz, 12dB, TR-1000

  • MAAMSS0060TR

    射频放大器 50-1000MHz NF 1.8dB Gain 17dB Typ.

MACOM热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • GTVA101K42EV-V1-R0

  • 制造商：MACOM
  • 批号：23+
  • 描述：射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GTVA101K42EV-V1-R0
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：5000+

优势价格，GTVA101K42EV-V1-R0的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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详细参数

  • 晶体管类型HEMT
  • 技术GaN
  • 工作频率
  • 增益
  • 晶体管极性
  • Vds-漏源极击穿电压
  • Vgs-栅源极击穿电压
  • Id-连续漏极电流
  • 输出功率
  • 最大漏极/栅极电压
  • 最小工作温度
  • 最大工作温度
  • Pd-功率耗散
  • 安装风格
  • 封装 / 箱体
  • 封装Reel

其它信息

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