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GTVA220701FA-V1-R0相关型号
  • A73

    射频放大器 5-500MHz NF 3.5dB Gain 32.0dB

  • A515

    射频放大器 10-500MHz NF 3.5dB Gain 27.5dB

  • A83-1

    射频放大器 10-250MHz NF 2.5dB Gain 35.5dB

  • SMA17

    射频放大器 10-1000MHz NF 6.0dB Gain 12dB

  • MAAL-011134-2SMB

    射频放大器 Sample Board,MAAL-011134,2300-2700 MHz

  • A79

    射频放大器 5-300MHz NF 4.0dB Gain 14.0dB

  • A27

    射频放大器 10-1500MHz NF 7.5dB Gain 8.5dB

  • SMA29-1

    射频放大器 10-1500MHz NF 5.5dB Gain 9.0dB

MACOM热销型号

图片仅供参考,请参考产品描述

  • GTVA220701FA-V1-R0

  • 制造商:MACOM
  • 批号:23+
  • 描述:射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 RF LDMOS FET
  • PDF下载:pdf下载
  • 库存数量:5000+

优势价格,GTVA220701FA-V1-R0的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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详细参数

  • 晶体管类型HEMT
  • 技术GaN-on-SiC
  • 工作频率1.805 GHz to 2.17 GHz
  • 增益22 dB
  • 晶体管极性N-Channel
  • Vds-漏源极击穿电压150 V
  • Vgs-栅源极击穿电压
  • Id-连续漏极电流13.5 A
  • 输出功率45 W
  • 最大漏极/栅极电压
  • 最小工作温度
  • 最大工作温度+ 225 C
  • Pd-功率耗散
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体H-37265J-2
  • 封装Reel

其它信息

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