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PXAE213708NB-V1-R2相关型号
MACOM热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • PXAE213708NB-V1-R2

  • 制造商：MACOM
  • 批号：23+
  • 描述：射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 370W Si LDMOS 28V 2100 to 2170MHz 关于MACOM 5g rf transistors 的信息
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：5000+

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详细参数

  • 晶体管极性N-Channel
  • 技术Si
  • Id-连续漏极电流-
  • Vds-漏源极击穿电压65 V
  • Rds On-漏源导通电阻-
  • 工作频率2.11 GHz to 2.18 GHz
  • 增益16 dB
  • 输出功率400 W
  • 最小工作温度-
  • 最大工作温度+ 225 C
  • 安装风格Flange Mount
  • 封装 / 箱体HB2SOF-8-1
  • 封装Reel

其它信息

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