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LTA/PTRA082808NF-V1
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 LTA/PTRA082808NF-V1
LTN/PTNC210604MD-V2
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Amplifier, 2110-2200 MHz, PTNC210604MD-V2 LDMOS 2-Stage RFIC included
PTVA082407NF-V2-R5
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 240W, Si LDMOS, 48V, 790-820MHz, TO288
LTA/PTNC210604MD-V2
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 10W Avg. 2110-2200 MHz LDMOS Doherty EVB
MRF166W
Trans RF MOSFET N-CH 65V 8A 5-Pin Case 412-01
CGHV1F025S
Trans RF MOSFET N-CH 120V 2A 12-Pin DFN EP
CGHV96100F2
Trans RF MOSFET 120V 12A 3-PinCase 440217
MAAD-011048-TR0500
衰减器 Attenuator, DC-55 GHz, 5 bits, 3 mm, T&R
MAAD-000523-TR1000
6Bit 0.5dBStep 31.5dB 6GHz 24-Pin PQFN EP T/R
CSFD25
Low Cost Frequency Doubler
MA4E2200B1-287T
Diode RF Schottky 1.5V 3-Pin SOT-23 T/R
MAMF-011180-TR1000
M/A-COM Technology Solutions High Power Switch with Integrated Bias Controller 0.5 - 7.2 GHz
NPTB00004A
HEMT N-CH 28V 5W DC-6GHz 8SOIC
MAVR-000409-0287AT
Diode VAR Cap Single 30V 42.3pF 3-Pin SOT-23 T/R
MAATCC0009
6Bit 0.5dBStep 31.5dB 4GHz 32-Pin PQFN EP Bulk
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详细参数
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