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MADP-007167-0287AT相关型号
  • LTA/PTRA082808NF-V1

    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 LTA/PTRA082808NF-V1

  • LTN/PTNC210604MD-V2

    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Amplifier, 2110-2200 MHz, PTNC210604MD-V2 LDMOS 2-Stage RFIC included

  • PTVA082407NF-V2-R5

    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 240W, Si LDMOS, 48V, 790-820MHz, TO288

  • LTA/PTNC210604MD-V2

    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 10W Avg. 2110-2200 MHz LDMOS Doherty EVB

  • MRF166W

    Trans RF MOSFET N-CH 65V 8A 5-Pin Case 412-01

  • CGHV1F025S

    Trans RF MOSFET N-CH 120V 2A 12-Pin DFN EP

  • CGHV96100F2

    Trans RF MOSFET 120V 12A 3-PinCase 440217

  • MAAD-011048-TR0500

    衰减器 Attenuator, DC-55 GHz, 5 bits, 3 mm, T&R

MACOM热销型号

图片仅供参考,请参考产品描述

  • MADP-007167-0287AT

  • 制造商:MACOM Technology Solutions
  • 批号:23+
  • 描述:二极管 - 射频 PIN - 单 200V 150 mA 250 mW SOT-23
  • PDF下载:
  • 库存数量:5000+

优势价格,MADP-007167-0287AT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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详细参数

  • 制造商 MACOM Technology Solutions
  • 系列-
  • 包装散装
  • 零件状态在售
  • 二极管类型PIN - 单
  • 电压 - 峰值反向(最大值)200V
  • 电流 - 最大值150 mA
  • 不同?Vr、F 时电容0.3pF @ 50V,1MHz
  • 不同?If、F 时电阻10 欧姆 @ 10mA,100MHz
  • 功率耗散(最大值)250 mW
  • 工作温度175°C(TJ)
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商器件封装SOT-23

其它信息

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