CGH55015F2

射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 4.5-6.0GHz, 10 Watt 关于MACOM gan hemts 的信息

CGH60008D-GP4

射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 8 Watt 关于MACOM gan hemts 的信息

CGHV40100F

射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-4.0GHz, 100 Watt 关于MACOM gan hemts 的信息

PTFC270101M-V1-R1K

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET

CG2H40120F

射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 28V DC-4.0GHz 120W

CGHV38375F

射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 375W, 2.7-3.8GHz, GaN Amplifier, 50V 关于MACOM cghv38375f transistor 的信息

CGHV40050F

射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-4.0GHz, 50 Watt

CGHV40180F

射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 关于MACOM cgh2400 cgh300 hemt 的信息

MAAD-000523-TR1000

6Bit 0.5dBStep 31.5dB 6GHz 24-Pin PQFN EP T/R

CSFD25

Low Cost Frequency Doubler

MA4E2200B1-287T

Diode RF Schottky 1.5V 3-Pin SOT-23 T/R

MAMF-011180-TR1000

M/A-COM Technology Solutions High Power Switch with Integrated Bias Controller 0.5 - 7.2 GHz

NPTB00004A

HEMT N-CH 28V 5W DC-6GHz 8SOIC

MAVR-000409-0287AT

Diode VAR Cap Single 30V 42.3pF 3-Pin SOT-23 T/R

MAATCC0009

6Bit 0.5dBStep 31.5dB 4GHz 32-Pin PQFN EP Bulk