GTRA362802FC-V1-R2

射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 280W GaN HEMT 48V 3400 to 3600MHz

GTRA362002FC-V1-R2

射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 200W GaN HEMT 48V 3400 to 3600MHz

CGHV60075D5-GP4

射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 75 Watt 关于MACOM cghv600 gan hemts 的信息

CGHV35150F

射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 2.9-3.5GHz, 150 Watt 关于MACOM gan hemts 的信息

CGHV31500F1

射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 500W, GaN HEMT, 50V, 2.7-3.1GHz,Long-pulse, Flange 关于MACOM cghv31500f1 gan hemt 的信息

CGHV35400F1

射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 400W, GaN HEMT, 50V, 2.9-3.5GHz, IM FET, Flange 关于MACOM cghv35400f hemt 的信息

CGHV1F025S

射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-15GHz, 25 Watt 关于MACOM gan hemts 的信息

CGHV35400F

射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 2.9-3.5GHz, 400 Watt

MAAD-000523-TR1000

6Bit 0.5dBStep 31.5dB 6GHz 24-Pin PQFN EP T/R

CSFD25

Low Cost Frequency Doubler

MA4E2200B1-287T

Diode RF Schottky 1.5V 3-Pin SOT-23 T/R

MAMF-011180-TR1000

M/A-COM Technology Solutions High Power Switch with Integrated Bias Controller 0.5 - 7.2 GHz

NPTB00004A

HEMT N-CH 28V 5W DC-6GHz 8SOIC

MAVR-000409-0287AT

Diode VAR Cap Single 30V 42.3pF 3-Pin SOT-23 T/R

MAATCC0009

6Bit 0.5dBStep 31.5dB 4GHz 32-Pin PQFN EP Bulk