PXAC200902FC-V1-R2

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET

GTRA214602FC-V1-R0

射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 490W, GaN HEMT, 48V, 2110-2200MHz, 248pp

CGHV14500F

射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 1.2-1.4GHz, 500 Watt 关于MACOM gan hemts 的信息

CG2H40035F

射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 35W GaN HEMT 24V 4GHz Flange

CGH40006P

射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 Watt 关于MACOM gan hemts 的信息

CGH40025F

射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 25 Watt 关于MACOM gan hemts 的信息

CGHV1F006S

射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-18GHz, 6 Watt 关于MACOM gan hemts 的信息

GTVA262711FA-V2-R2

射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 300W GaN HEMT 48V 2496 to 2690MHz

MAAD-000523-TR1000

6Bit 0.5dBStep 31.5dB 6GHz 24-Pin PQFN EP T/R

CSFD25

Low Cost Frequency Doubler

MA4E2200B1-287T

Diode RF Schottky 1.5V 3-Pin SOT-23 T/R

MAMF-011180-TR1000

M/A-COM Technology Solutions High Power Switch with Integrated Bias Controller 0.5 - 7.2 GHz

NPTB00004A

HEMT N-CH 28V 5W DC-6GHz 8SOIC

MAVR-000409-0287AT

Diode VAR Cap Single 30V 42.3pF 3-Pin SOT-23 T/R

MAATCC0009

6Bit 0.5dBStep 31.5dB 4GHz 32-Pin PQFN EP Bulk