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MABT-011000-14230G相关型号
  • NPT1010B

    射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-2.0GHz P1dB 49dBm Gain 19.7dB GaN

  • NPT1012B

    射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-4.0GHz P1dB 43dBm Gain 13dB GaN

  • NPT35015D

    射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 Transistor,GaN,3000-4000MHz

  • NPT25015D

    射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 Transistor,GaN,DC-3000MHz

  • NPTB00025B

    射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-4.0GHz 25W Gain 13.5dB GaN HEMT

  • NPT2022

    射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-2.0GHz 100W Gain 20dB GaN HEMT

  • NPTB00004A

    射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-6.0GHz 5W Gain 16dB GaN HEMT

  • MA46H072-1056

    变容二极管 Diode, Varactor, GaAs

MACOM热销型号

图片仅供参考,请参考产品描述

  • MABT-011000-14230G

  • 制造商:MACOM
  • 批号:23+
  • 描述:射频无线杂项 2-18GHz IL
  • PDF下载:pdf下载
  • 库存数量:5000+

优势价格,MABT-011000-14230G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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  • 工作频率
  • 电源电压-最大
  • 电源电压-最小
  • 工作电源电流
  • 工作温度范围- 65 C to + 125 C
  • 封装 / 箱体2.11 mm x 1.93 mm x 0.125 mm
  • 资格
  • 封装Gel Pack

其它信息

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