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EA2相关型号
  • LTA/PTRA082808NF-V1

    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 LTA/PTRA082808NF-V1

  • LTN/PTNC210604MD-V2

    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Amplifier, 2110-2200 MHz, PTNC210604MD-V2 LDMOS 2-Stage RFIC included

  • PTVA082407NF-V2-R5

    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 240W, Si LDMOS, 48V, 790-820MHz, TO288

  • LTA/PTNC210604MD-V2

    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 10W Avg. 2110-2200 MHz LDMOS Doherty EVB

  • MRF166W

    Trans RF MOSFET N-CH 65V 8A 5-Pin Case 412-01

  • CGHV1F025S

    Trans RF MOSFET N-CH 120V 2A 12-Pin DFN EP

  • CGHV96100F2

    Trans RF MOSFET 120V 12A 3-PinCase 440217

  • MAAD-011048-TR0500

    衰减器 Attenuator, DC-55 GHz, 5 bits, 3 mm, T&R

MACOM热销型号

图片仅供参考,请参考产品描述

  • EA2

  • 制造商:MACOM Technology Solutions
  • 批号:23+
  • 描述:射频放大器 IC 通用 5MHz ~ 400MHz TO-5
  • PDF下载:pdf下载
  • 库存数量:5000+

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详细参数

  • 制造商MACOM Technology Solutions
  • 系列EA2
  • 包装托盘
  • 频率5MHz ~ 400MHz
  • P1dB9dBm
  • 增益13.5dB
  • 噪声系数5.7dB
  • 射频类型通用
  • 电压 - 供电15V
  • 电流 - 供电26mA
  • 测试频率5MHz ~ 400MHz
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-5
  • 供应商器件封装TO-5

其它信息

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