CGHV59350F

射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 5.2-5.9GHz, 350 Watt 关于MACOM gan hemts 的信息

CGHV60170D-GP4

射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 170 Watt 关于MACOM gan hemts 的信息

CGHV1J070D-GP4

射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-18GHz, 70 Watt 关于MACOM gan hemts 的信息

GTRA362002FC-V1-R0

射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 200W GaN HEMT 48V 3400 to 3600MHz 关于MACOM 5g rf transistors 的信息

GTRA364002FC-V1-R0

射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 400W GaN HEMT 48V 3400 to 3600MHz 关于MACOM 5g rf transistors 的信息

GTRA362802FC-V1-R0

射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 280W GaN HEMT 48V 3400 to 3600MHz 关于MACOM 5g rf transistors 的信息

GTRA384802FC-V1-R0

射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 480W GaN HEMT 48V 3800MHz 关于MACOM 5g rf transistors 的信息

CGH60120D-GP4

射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 120 Watt 关于MACOM gan hemts 的信息

MAAD-000523-TR1000

6Bit 0.5dBStep 31.5dB 6GHz 24-Pin PQFN EP T/R

CSFD25

Low Cost Frequency Doubler

MA4E2200B1-287T

Diode RF Schottky 1.5V 3-Pin SOT-23 T/R

MAMF-011180-TR1000

M/A-COM Technology Solutions High Power Switch with Integrated Bias Controller 0.5 - 7.2 GHz

NPTB00004A

HEMT N-CH 28V 5W DC-6GHz 8SOIC

MAVR-000409-0287AT

Diode VAR Cap Single 30V 42.3pF 3-Pin SOT-23 T/R

MAATCC0009

6Bit 0.5dBStep 31.5dB 4GHz 32-Pin PQFN EP Bulk